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松下 面向高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備 開(kāi)發(fā)出 “低傳輸損耗多層基板材料 MEGTRON 8”

更新時(shí)間2022-01-22 點(diǎn)擊數(shù)5086

2022-01-18

支持新一代高速通信技術(shù)800千兆以太網(wǎng)(GbE)
實(shí)現(xiàn)業(yè)界較佳的低傳輸損耗

面向高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備 開(kāi)發(fā)出低傳輸損耗多層基板材料 MEGTRON 8

松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社機(jī)電公司開(kāi)發(fā)出一種低傳輸損耗[1]多層基板材料“MEGTRON 8”[2],用于支持保障高速通信的通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備(路由器、交換機(jī)等)。

隨著5G(第5代移動(dòng)通信系統(tǒng))應(yīng)用的快速普及,各種通信技術(shù)服務(wù)也陸續(xù)啟動(dòng),社會(huì)正持續(xù)向萬(wàn)物互聯(lián)的IoE(Internet of Everything)轉(zhuǎn)變。也因如此,未來(lái)通信數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將急劇增加,對(duì)高速信號(hào)處理的支持和能源消耗的增加已成為一大社會(huì)問(wèn)題。
然而為了實(shí)現(xiàn)IoE,高速通信的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備就需應(yīng)對(duì)800GbE[3](112Gbps[4], PAM4[5])的數(shù)據(jù)傳輸速度,這是當(dāng)前速度的2倍。此外,隨著電信號(hào)的高速化和高頻化,電子電路基板的傳輸損耗會(huì)增大,為了確保信號(hào)質(zhì)量,需要傳輸損耗更小的基板材料。
為此,本公司以自主的樹(shù)脂設(shè)計(jì)與材料配合技術(shù)為基礎(chǔ)、確立了低介電損耗系數(shù)玻璃布與低粗糙度銅箔[6]的復(fù)合化技術(shù),兼顧高多層基板所需的特性和低傳輸損耗,開(kāi)發(fā)出業(yè)界較佳(※1)的低傳輸損耗多層基板材料“MEGTRON 8”?!癕EGTRON 8”有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)通信的大容量化和高速化,此外低傳輸損耗的實(shí)現(xiàn)也有助于減少能源消耗。(※2)

(※1)作為基于熱固性樹(shù)脂的高多層基板材料,截至2022年1月18日,根據(jù)本公司調(diào)查。
(※2)在相同設(shè)備及相同條件下,與使用本公司以往的材料(MEGTRON7 R-5785(N))進(jìn)行比較的結(jié)果

【特點(diǎn)】
1. 憑借本公司自主的樹(shù)脂設(shè)計(jì)及配合技術(shù),實(shí)現(xiàn)業(yè)界較佳(※1)的低傳輸損耗與本公司以往的材料相比 改善約30%(※3)
(※3)MEGTRON8 R-5795(U)與MEGTRON7 R-5785(N)相比,28GHz時(shí)的傳輸損耗改善效果
 

https://panasonic.cn/wp-content/uploads/2022/01/news-20220118-3.png



2. 具有優(yōu)良的耐熱性和可靠性,可應(yīng)用于高多層基板(20層以上)(與本公司以往的材料(※4)等效)
(※4)MEGTRON7 R-5785(N)

3. 與本公司以往的材料(※4)持有相同水平的加工性,可應(yīng)用常規(guī)的多層電子電路基板工序條件
 

【用途】
路由器、交換機(jī)、光傳輸設(shè)備、服務(wù)器、AI服務(wù)器、基站、半導(dǎo)體試驗(yàn)設(shè)備、探針卡等

【特點(diǎn)的詳細(xì)說(shuō)明】
1. 憑借本公司自主的樹(shù)脂設(shè)計(jì)及配合技術(shù),實(shí)現(xiàn)業(yè)界較佳(※1)的低傳輸損耗與本公司以往的材料相比 改善約30%(※3)
本公司憑借具有優(yōu)良介電特性的自主樹(shù)脂設(shè)計(jì)與材料配合技術(shù)、以及低介電損耗因素玻璃布與低粗糙度銅箔的復(fù)合化技術(shù),實(shí)現(xiàn)業(yè)界較佳的低傳輸損耗,為提升高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的性能做出貢獻(xiàn)。此外,通過(guò)使用低傳輸損耗的基板材料可高效地發(fā)送電信號(hào),從而有望減輕設(shè)備的能源消耗。

【傳輸損耗比較】

面向高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備 開(kāi)發(fā)出 “低傳輸損耗多層基板材料 MEGTRON 8”

2. 具有優(yōu)良的耐熱性和可靠性,可應(yīng)用于高多層基板(20層以上)(與本公司以往的材料(※4)等效)
通過(guò)本公司自主的樹(shù)脂設(shè)計(jì)及材料配合技術(shù),本材料不僅具有優(yōu)良的耐熱性和絕緣可靠性[7],而且具有極高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱分解溫度。因此,即使在高端服務(wù)器或路由器等使用的20層以上的高多層基板中,也能確保在高溫環(huán)境下的高度可靠性,從而有助于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. 與本公司以往的材料(※4)持有相同水平的加工性,可應(yīng)用常規(guī)的多層電子電路基板工序條件
與使用以低傳輸損耗樹(shù)脂而廣為人知的PTFE(聚四氟乙烯)的氟樹(shù)脂基板不同,本公司的材料使用了熱固性樹(shù)脂,在電路基板工序內(nèi)可實(shí)現(xiàn)與以往的材料同等的制造。

【特性表】
MEGTRON8 有兩種玻璃布類型的產(chǎn)品
<產(chǎn)品型號(hào)> 覆銅板材料:R-5795(U)、R-5795(N);樹(shù)脂固化片:R-5690(U)、R-5690(N)

面向高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備 開(kāi)發(fā)出 “低傳輸損耗多層基板材料 MEGTRON 8”

【術(shù)語(yǔ)說(shuō)明】
[1] 傳輸損耗
在電子電路基板布線(傳輸線路)上傳輸?shù)男盘?hào)因材料和距離等因素而衰減的程度。
單位為分貝(dB)。
[2] MEGTRON
“MEGTRON”是本公司的注冊(cè)商標(biāo)。本公司以MEGTRON品牌推出支持高速傳輸?shù)亩鄬踊宀牧舷盗挟a(chǎn)品。業(yè)界領(lǐng)先的多層基板材料,支持服務(wù)器、路由器、超級(jí)計(jì)算機(jī)、基站等高速通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備以及汽車、航空航天等廣泛領(lǐng)域的高速大容量傳輸。
尤其是MEGTRON 6(2004年開(kāi)始量產(chǎn)),作為用于高端服務(wù)器的低傳輸損耗多層基板材料的先行者,2014年4月獲得“第46屆市村產(chǎn)業(yè)獎(jiǎng) 功績(jī)獎(jiǎng)”,2016年3月獲得“第62屆大河內(nèi)紀(jì)念生產(chǎn)獎(jiǎng)”。
[3] 800GbE (Gigabit Ethernet)
正由Ethernet Technology Consortium(以太網(wǎng)技術(shù)聯(lián)盟)推進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)化的有線高速通信新標(biāo)準(zhǔn)。超過(guò)當(dāng)前較快規(guī)格的400GbE,成為新一代接口規(guī)格。
[4] bps (Bit per Second)
表示1秒鐘可收發(fā)的數(shù)據(jù)量(bit)的單位。數(shù)值越大,通信速度越快。
112Gbps表示1秒鐘可傳輸112Gbit的數(shù)據(jù)量。
[5] PAM4 (4Pulse Amplitude Modulation)
4脈沖幅度調(diào)制方式,傳輸信號(hào)的一種方式。
[6] 低粗糙度銅箔
表面粗糙度極小的銅箔。高頻電流流經(jīng)銅箔表面(趨膚效應(yīng)),因此通過(guò)使用表面凹凸小的低粗糙度銅箔,可以降低傳輸損耗。
另一方面,表面凹凸小的銅箔與基材樹(shù)脂的物理粘合力(錨固效應(yīng))低,因此設(shè)計(jì)具有提高粘合強(qiáng)度的樹(shù)脂尤為重要。
[7] 絕緣可靠性
針對(duì)電子電路基板絕緣電阻劣化的可靠性。
(一般通過(guò)在高溫高濕下施加電壓的加速試驗(yàn)進(jìn)行評(píng)估)
[8] 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)
高分子材料受熱,物理性質(zhì)發(fā)生變化時(shí)的溫度點(diǎn)被稱為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
[9] 相對(duì)介電常數(shù)(Dk)
介電常數(shù)表示從外部施加電荷到絕緣性物質(zhì)時(shí)極化的容易程度,各種物質(zhì)的介電常數(shù)各有不同。越是容易極化的物質(zhì)往往越容易蓄電,因此難以極化的物質(zhì)(介電常數(shù)小)有利于有效地傳輸電信號(hào)。相對(duì)介電常數(shù)是指真空介電常數(shù)為1時(shí)的物質(zhì)的介電常數(shù)之比。
[10] 介電損耗因數(shù)(Df)
絕緣性物質(zhì)內(nèi)部的電能損耗程度。
介質(zhì)損耗因數(shù)越小,電能損耗也越小,從而降低電信號(hào)的傳輸損耗。
 

【產(chǎn)品咨詢】
機(jī)電公司 電子材料事業(yè)部
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