2006-06-02

富士膠片與IBM合作,實(shí)現(xiàn)世界較高密度的數(shù)據(jù)記錄

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　　與現(xiàn)行磁帶相比,實(shí)現(xiàn)[15倍以上]的記錄密度!

　　憑借富士膠片獨(dú)有的納米立方[NANOCUBIC[技術(shù)和鋇鐵磁性體制造工藝，成功實(shí)現(xiàn)在線(xiàn)性記錄格式*1的世界較高密度(6.67Gbpsi*2)的數(shù)據(jù)記錄，使單盤(pán)數(shù)據(jù)磁帶的數(shù)據(jù)記錄達(dá)到[8TB]成為可能。

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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2006年5月17日

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　　富士寫(xiě)真膠片株式會(huì)社(社長(zhǎng):古森 重隆),作為第二代的獨(dú)有的納米薄層涂布型磁記錄媒體技術(shù)[NANOCUBIC*3],使用鋇鐵磁性體的磁記錄媒質(zhì),通過(guò)與IBM艾曼登研究中心(美國(guó)加州)共同研究,在全球首先成功實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)行磁帶相比,記錄密度達(dá)到15倍以上的6.67Gbpsi的數(shù)據(jù)記錄*4.由此,單盤(pán)的記錄容量達(dá)到現(xiàn)在的LTO磁帶的20倍,即8TB*5的大容量磁帶的開(kāi)發(fā),在將來(lái)變得可能.

　　此次劃時(shí)代的共同研究的成果,是歸功于使用[鋇鐵磁性體]的富士膠片獨(dú)有的[NANOCUBIC技術(shù)]的[超薄層均一涂布技術(shù)(NANO coating)]及[高分散技術(shù)(NANO dispersion)],及IBM的此次開(kāi)發(fā)的磁帶系的[GMR巨磁阻磁頭]及[GMR伺服讀取器]的組合. 　　現(xiàn)在,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒體市場(chǎng)伴隨著使用數(shù)據(jù)量的增加,記錄容量也不斷增加,市場(chǎng)期待應(yīng)對(duì)大容量化需求的產(chǎn)品. 　

　為了擴(kuò)大記錄容量,就有必要縮小磁性體的體積來(lái)提高記錄密度,但現(xiàn)在的磁記錄媒體的主流是使用[純鐵磁性體],在此情況下,要求高密度記錄,維持高保磁力就非常困難. 　　所以,此次開(kāi)發(fā)沒(méi)有使用純鐵磁性體,而是采用新型[鋇鐵磁性體]. 鋇鐵磁性體的微粒即使其微粒子化(粒徑:21nm),由于結(jié)晶磁異向性*6能夠保持高保磁力,同時(shí),由于其優(yōu)秀的周波數(shù)特性,與原來(lái)的純鐵系相比,有低噪的特長(zhǎng).而且, 鋇鐵磁性體與期待作為下一代存儲(chǔ)磁帶用磁頭的[Giant-Magnetoresisitive(GMR)磁頭]有很高的匹配性,富士膠片與IBM雙方的獨(dú)有技術(shù)的組合,達(dá)到了6.67Gbpsi的高密度數(shù)據(jù)記錄.單盤(pán)8TB大容量的數(shù)據(jù)記錄成為可能,為今后的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒體的大容量化作出了貢獻(xiàn).

　　到今天為止, 富士膠片已經(jīng)向市場(chǎng)導(dǎo)入了自1992年開(kāi)發(fā)的采用[ATOMM技術(shù)*7]的[DLTIV*8(40GB)],[SDLT*8(160~300GB)],[LTO Ultrium1~3*9(100~400GB)].而且,在2001年發(fā)表[NANOCUBIC技術(shù)],成功實(shí)現(xiàn)了第一代使用純鐵磁性體的單盤(pán)1TB的記錄.在企業(yè)級(jí)市場(chǎng),采用這種技術(shù)的[IBM3592數(shù)據(jù)磁帶*10(300GB/500GB)],[Sun Microsystems T10000用數(shù)據(jù)磁帶*11(500GB)]媒質(zhì),已再全球率先導(dǎo)入.

　　今后,富士膠片還會(huì)繼續(xù)走在其他公司的前列,積極推進(jìn)使用鋇鐵磁性體的高容量媒質(zhì)的商品開(kāi)發(fā),同時(shí)支援使用涂布性記錄媒體系統(tǒng)的開(kāi)發(fā).

*1 在磁帶縱向,通過(guò)固定磁頭直線(xiàn)狀進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的記錄方式.記錄軌是在磁帶縱向平行記錄.與此相對(duì)的有[斜向掃描方式(轉(zhuǎn)動(dòng)磁頭)]

*2 面記錄密度的表示單位,Giga bits per square inch的簡(jiǎn)稱(chēng)

*3 NANOCUBIC技術(shù):NANO layer coating technology with NANO dispersed NANO particle

　　富士膠片2001年發(fā)表的實(shí)現(xiàn)高密度磁性記錄的獨(dú)有的納米薄層涂布型磁記錄媒體技術(shù). 　　　高密度數(shù)據(jù)記錄需要記錄層的薄層化, NANOCUBIC技術(shù)與幾微米的薄層純鐵涂布的[ATOMM技術(shù)]相比,實(shí)現(xiàn)了再更薄的納米單位(納米是10億分之一)的超薄涂層.加上納米涂層技術(shù),被微粒子化到數(shù)十nm大小的[鐵針狀磁性體]及更微小的[鋇鐵板狀磁性體]的開(kāi)發(fā)技術(shù),也開(kāi)發(fā)了微粒子磁性體被均一的分散,整齊排列的高分子粘合劑. 　

　　采用NANOCUBIC技術(shù),使得低噪而且保存性?xún)?yōu)秀的大容量磁帶成為可能.

*4 通過(guò)IBM艾曼登研究中心進(jìn)行的實(shí)證實(shí)驗(yàn),得到確認(rèn).

*5 1TB(=1000GB)是10的12次方

*6 由于具有磁界在結(jié)晶的什么方位增加而磁性會(huì)發(fā)生變化的性質(zhì),鋇鐵是在面對(duì)六角板狀結(jié)晶的板面上,在垂直方向增加磁界,所以較容易被磁化.

*7 ATOMM:Advanced super Thin-layer and high-Output Metal Media 　

　富士膠片1992年發(fā)表的[超薄層涂布型純鐵磁媒體技術(shù)]

*8 Super DLT tape,DLT tape是美國(guó)Quantum公司的注冊(cè)商標(biāo).

*9 LTO Ultrium是IBM 公司,HP公司, Quantum公司在美國(guó)及其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo).

*10 IBM TotalStorage Enterprase Tape Drive 3592用磁帶　　(TotalStorage是IBM公司在美國(guó)及其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo))

*11 美國(guó)Sun Microsystems公司Sun StorageTek T10000系統(tǒng)用數(shù)據(jù)磁帶　

　(Sun Microsystems,Sun StorageTek是Sun Microsystems公司在美國(guó)及其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo))