??? 松下電器產業株式會社汽車電子和機電系統公司實現適合于第5代移動通信系統“5G”等通信基礎設備的、對應無鹵素[1] 的超低傳輸損耗[2] 的多層基板材料 Halogen-free MEGTRON6（代表型號：R-5375）的產品化，將自2019年4月起開始量產。

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??????隨著預定在今后開始提供第5代移動通信系統“5G”的服務，預計數據通信將進一步邁向大容量化和高速傳輸化。在如此趨勢下，對于在支撐通信網絡基干系統的服務器、路由器等中擔負著中樞作用的多層基板材料，除了大容量和高速傳輸外，從環保角度出發，還要求其為對應無鹵素的材料。本公司借助獨有的樹脂設計技術和調配技術，實現了通信基礎設備用的多層基板材料的產品化，該多層基板材料在對應無鹵素的同時實現了低傳輸損耗、高耐熱、高可靠性。

【特征】
１．?在對應無鹵素的同時實現了低傳輸損耗，為數據通信的大容量化和高速傳輸化做出貢獻
相對電容率（Dk）[3]=3.4（12GHz）※1　本公司以往產品※2　3.4（12GHz）※1
介質衰耗因數（Df）[4]=0.003（12GHz）※1　本公司以往產品※2　0.004（12GHz）※1
2．?通過高耐熱和高可靠性的多層基板材料來為設備的穩定運轉做出貢獻
回流焊耐熱性：10個周期Pass（260℃ 32層）　本公司以往產品※2　28層10個周期
絕緣可靠性：1000小時Pass（85℃、濕度85%、50V）　與本公司以往產品※2　等同熱膨脹系數（厚度方向）：39ppm　本公司以往產品※2　45ppm
玻璃化溫度（Tg）[5]：250℃/DMA、熱分解溫度（Td）435℃
本公司以往產品※2　Tg 210℃/DMA、Td 410℃
3．?對應無鹵素，提高20層以上高多層基板的可制造性及加工性
※1：低介質常數玻璃布規格值　※2：超低傳輸損耗多層基板材料　MEGTRON6（型號 R-5775）

【用途】

面向應用于ICT的通信基礎設備、高端服務器、路由器、開關、無線基站等

【備注】

本材料將于2019年１月29日～１月31日在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“DesignCon2019”上展出。

【產品查詢】
https://industrial.panasonic.cn/cuif/ea/contact-us?field_contact_group=2797&field_contact_lineup=3251&ad=press20190121

【產品詳細信息】
https://industrial.panasonic.com/ww/products/electronic-materials/circuit-board-materials/megtron/hf-megtron6?ad=press20190121

【特長的詳細說明】
１．在對應無鹵素的同時實現了低傳輸損耗，為數據通信的大容量化和高速傳輸化做出貢獻
???? 近來，市面上對注重環保的對應無鹵素的通信基礎設備用基板材料需求日益升溫。為了維持阻燃性，必須使用非鹵素的阻燃劑，而作為其折衷方案，特別是在高頻領域面臨著傳輸損耗大的課題，要求通信基礎設備兼顧大容量、高速傳輸和無鹵素曾是一大難題。本次，我們借助基于本公司獨有的樹脂設計技術和調配技術，在對應無鹵素的同時，還兼顧到了阻燃化和高頻領域內的低傳輸損耗化。由此，實現了數據通信的大容量化和高速傳輸化，并有望為第5代移動通信系統“5G”的實現做出貢獻。
2．通過高耐熱和高可靠性的多層基板材料來為設備的穩定運轉做出貢獻
???? 本材料借助基于本公司獨有的樹脂設計和調配技術，具備優異的回流焊耐熱性、絕緣可靠性，并且還具有高玻璃轉移溫度和熱分解溫度。由此，通過在高溫環境下可實現高可靠性的多層基板材料，為通信基礎設備的穩定運轉做出貢獻。
3．對應無鹵素，提高20層以上高多層基板的可制造性及加工性
??? 本材料借助基于本公司獨有的樹脂設計技術，即使在超過20層的高多層基板上也可實現優異的可制造性及加工性。由此，對于要求高多層設計的通信基礎設備，也可引入注重環保的對應無鹵素的基板材料。

【基本規格】

＜型號＞芯材：R-5375(N)、R-5375(E)、塑料片：R-5370(N)、R-5370(E)

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【術語說明】
[1]?無鹵素
?標準JPCA-ES-01-2003中規定的、焚燒時有可能產生二惡英的鹵素（溴（Br）、氯（Cl）含量在標準值以下的。
[2] ?傳輸損耗
?流經電路的電信號因距離或從電路受到的電阻等影響而被轉換為熱等能量并逐漸衰減的現象。損耗會因導體（電路）或電路接觸的絕緣體（基板材料）的特性而有所差異。
[3] ?相對電容率（Dk）
?介質常數表示代表從外部向絕緣性物質賦予電荷時易于極化的程度，具有物質固有的值。越是易于極化的物質，越具有易于蓄積電氣的傾向，所以為了使得電信號有效傳輸，宜采用不易極化（介質常數小的）物質。相對電容率就是將真空的介質常數假設為1時，的物質的介質常數的比率。
[4] ?介質衰耗因數（Df）
?表示代表絕緣性物質在放出所蓄積的電氣時的損耗量。介質衰耗因數越小越能夠有效地放出所蓄積的電氣，因而電信號的傳輸損耗減小。
[5] ?玻璃化溫度（Tg）
?將在對高分子等進行加熱時從玻璃狀的堅硬狀態轉變為柔軟的橡膠狀態的現象稱作玻璃化，將引起玻璃化的溫度稱作玻璃化溫度。

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關于松下

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