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現(xiàn)行磁帶容量約44倍(*1)的35TB大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶開(kāi)發(fā)成功
2010-01-28
??? 采用獨(dú)有的鋇鐵氧體(BaFe)磁性體,在線形記錄方式(*2)的磁帶上實(shí)現(xiàn)了世界較高密度(29.5Gbpsi/每平方英寸)的數(shù)據(jù)記錄
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??? 富士膠片株式會(huì)社近日宣布,通過(guò)和IBM公司(美國(guó)紐約州)共同研究,采用對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介的大容量化做出貢獻(xiàn)的鋇鐵氧體磁性體(以下稱(chēng)為BaFe磁性體), 成功開(kāi)發(fā)出35TB(*6)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶,在線形記錄方式的磁帶上,實(shí)現(xiàn)了世界上較高的磁帶表面記錄密度29.5Gbpsi/每平方英寸(*3)的數(shù)據(jù)記錄(*4),1卷的記錄容量相當(dāng)于LTO(*5) G4的44倍。
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??? 現(xiàn)在,隨著數(shù)據(jù)量使用的增加,對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介的大容量需求大幅增加。為了盡可能地?cái)U(kuò)大記錄容量,需要使磁性體的尺寸變得更小從而增加記錄密度。目前在涂布型磁帶上占主流的是金屬磁性體,但該磁性體對(duì)于要求高密度記錄,維持高性能的磁性力來(lái)說(shuō),非常困難,因此,富士膠片公司在磁性體的開(kāi)發(fā)比同行公司領(lǐng)先一步,致力于研發(fā)可以長(zhǎng)期保存的更加優(yōu)秀的BaFe磁性體,該磁性體在實(shí)現(xiàn)了微粒子化的同時(shí),還保持了高性能的磁性力,與目前一直使用的金屬系磁帶相比,信號(hào)更加穩(wěn)定,周波數(shù)特性表現(xiàn)優(yōu)越,并在2006年就已實(shí)現(xiàn)6.67Gbpsi的記錄密度。
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??? 富士膠片公司這次的技術(shù)突破在于通過(guò)采用了比“NANOCUBIC技術(shù)(*7)”更加先進(jìn)的新微粒子化技術(shù)、新均一薄層涂布技術(shù)、新高散發(fā)技術(shù),把相當(dāng)于現(xiàn)行金屬磁性體體積的約1/3大小的 1600立方納米左右的微粒子化的BaFe磁性體進(jìn)行了均一的分散和均勻的、超平滑的薄層磁性層涂布。另外還根據(jù)新設(shè)計(jì)的磁帶表面形狀,實(shí)現(xiàn)了磁帶走行的穩(wěn)定化。同時(shí),采用了新開(kāi)發(fā)的「垂直配向技術(shù)」,可控制納米磁性體的配列,實(shí)現(xiàn)了優(yōu)秀的垂直配向性能。IBM公司把這些劃時(shí)代的新技術(shù)與其自身的“磁頭精確定位技術(shù)”,“新信號(hào)處理技術(shù)”,“巨磁阻技術(shù)”結(jié)合,使得記錄密度得到飛躍性提高,實(shí)現(xiàn)了世界較高的29.5Gbpsi/每平方英寸的數(shù)據(jù)記錄。
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??? 富士膠片公司一直致力于開(kāi)發(fā)的大容量磁帶,運(yùn)用了包含“NANOCUBIC技術(shù)”在內(nèi)的較先進(jìn)的技術(shù)來(lái)生產(chǎn)記錄媒體產(chǎn)品。在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域,提供“IBM3592(*8)用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(640GB/1TB)”等高容量、高性能的磁帶,在以LTO為中心的Midrange領(lǐng)域保持了世界上較高的生產(chǎn)分額,滿足了客戶的需求,并提供了可信賴的高水準(zhǔn)。
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??? 富士膠片公司今后會(huì)繼續(xù)在高性能材料領(lǐng)域內(nèi)的記錄媒體事業(yè),引領(lǐng)BaFe磁性體生產(chǎn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),支持采用涂布性磁帶的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。
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? *1 與LTO G4數(shù)據(jù)磁帶(非壓縮容量:0.8TB)相比,約為43.75倍。
? *2 通過(guò)掠過(guò)磁帶平行方向的固定磁頭進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)的記錄方式。數(shù)據(jù)在磁帶上的記錄軌跡與磁帶兩邊平行,與此相對(duì)的有“螺旋掃描讀寫(xiě)技術(shù)”。
? *3 表面記錄密度的表示單位,Giga bits per square inch的省略表示。
? *4 根據(jù)IBM蘇黎世研究所所進(jìn)行的試驗(yàn)驗(yàn)證確認(rèn)。
? *5? Linear Tape-Open,LTO,LTO商標(biāo),Ultrium以及Ultrium商標(biāo)是HP公司,IBM公司以及Quantum公司在美國(guó)以及在其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo)。
? *6 1TB=1000GB
? *7? NANOCUBIC技術(shù):富士公司所特有的為實(shí)現(xiàn)高密度的磁性記錄而采用的納米薄層涂布型磁帶技術(shù)。進(jìn)行高密度數(shù)字記錄需要記錄層的薄層化,納米技術(shù)與我公司薄層金屬涂布的“ATOMM技術(shù)”相比,實(shí)現(xiàn)了更加超薄的納米涂層(納米涂布技術(shù))。通過(guò)這個(gè)技術(shù),可以使磁粒變成微小到只有幾十納米程度的金屬針狀磁性體,同時(shí),進(jìn)一步開(kāi)發(fā)出新的微粒子--鋇鐵氧體板狀磁性體(納米粒子化技術(shù)),以及可以使微粒子磁性體進(jìn)行均勻的分散排列的高分子聚合粘體(納米散發(fā)技術(shù))。使用納米技術(shù)以后,可以制造出具有信號(hào)穩(wěn)定及優(yōu)異保存性能的大容量存儲(chǔ)流帶。
? *8? IBM TotalStorage Enterprise Tape Drive 3592用磁帶存儲(chǔ)帶(TotalStorage是IBM公司在美國(guó)以及其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo))。
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《富士膠片公司的主要新技術(shù)》
1)?新微粒子化技術(shù)(Advanced NANO particle)
????●為了實(shí)現(xiàn)BaFe磁性體的微粒子化而采用的獨(dú)有的新合成手法。成功的實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于目前金屬磁性體體積1/3大小,約1600立方納米的微粒子化。
????●通過(guò)微粒子化控制粒子體積的散亂排列,使均一大小的磁性體的穩(wěn)定生成成為可能。
2)?新均一薄層涂布技術(shù)(Advanced NANO Coating)
????●實(shí)現(xiàn)厚度均勻的超平滑薄層磁性層的涂布,抑制雜訊的發(fā)生。
????●實(shí)現(xiàn)平滑且低摩擦的磁帶表面,可大幅抑制輸出時(shí)信號(hào)的波動(dòng),提高了記錄密度。
3)?新高散發(fā)技術(shù)(Advanced NANO Dispersion)
????●通過(guò)采用新的分散劑,防止了磁性體粒子之間的聚集,成功地使超微粒子化的磁性體實(shí) 現(xiàn)磁粒均勻的分散。
4)?新開(kāi)發(fā)的垂直配向技術(shù)(NANO PerpendicularOrientation)
????●伴隨著微粒子化,需要更加細(xì)密的技術(shù)控制BaFe磁性體的排列,通過(guò)納米排列控制,實(shí)現(xiàn)了高配向性。
????●磁性體進(jìn)行垂直的配列,可以使Bafe磁性體本身具有的結(jié)晶磁氣異方性的特征得到有效發(fā)揮,從而實(shí)現(xiàn)較高的周波數(shù)特性。
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